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著者 (7件)：
資料名：
巻： 26 号： 5 ページ： L558-L560 発行年： 1987年05月
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902001873064879
整理番号：88A0017963
rfマグネトロンスパッタリングで作製したZnS:Tb,Fエレクトロルミネセンス薄膜に及ぼすアニーリングの影響
Effects of annealing on ZnS:Tb, F electroluminescent thin films prepared by rf magnetron sputtering.
MITA J
(Oki Electric Industry Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
KOIZUMI M
(Oki Electric Industry Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
KANNO H
(Oki Electric Industry Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
HAYASHI T
(Oki Electric Industry Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
SEKIDO Y
(Oki Electric Industry Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
ABIKO I
(Oki Electric Industry Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
NIHEI K
(Oki Electric Industry Co., Ltd., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 26 号： 5 ページ： L558-L560 発行年： 1987年05月
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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