文献
J-GLOBAL ID:200902001881624719
整理番号:92A0283775
狭チャネルディープ・サブミクロンデバイスにおいて,新しい三次元MOSFETのゲート誘起性ドレインリーク効果
A new three-dimensional MOSFET gate-induced drain leakage effect in narrow deep submicron devices.
著者 (5件):
GEISSLER S
(IBM General Technology Division, Vermont, USA)
,
PORTH B
(IBM General Technology Division, Vermont, USA)
,
LASKY J
(IBM General Technology Division, Vermont, USA)
,
JOHNSON J
(IBM General Technology Division, Vermont, USA)
,
VOLDMAN S
(IBM General Technology Division, Vermont, USA)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
1991
ページ:
839-842
発行年:
1991年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)