文献
J-GLOBAL ID:200902001891286811
整理番号:92A0316798
光伝導検出器のためのサファイア上のHgCdTeのエピタキシャル成長
Epitaxial growth of HgCdTe on sapphire for photoconductive detectors.
著者 (5件):
TANAKA M
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
OZAKI K
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
YAMAMOTO K
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
EBE H
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
MIYAMOTO Y
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
117
号:
1/4
ページ:
24-27
発行年:
1992年02月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)