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文献
J-GLOBAL ID:200902001897167466   整理番号:84A0302341

a-Si:Hの光励起された過渡的な局在状態

Photo-induced transient localized states in a-Si:H.
著者 (5件):
OKUSHI H
(Electrotechnical Lab., Ibaraki)
ASANO A
(Electrotechnical Lab., Ibaraki)
MIYAKAWA M
(Electrotechnical Lab., Ibaraki)
YAMASAKI S
(Electrotechnical Lab., Ibaraki)
TANAKA K
(Electrotechnical Lab., Ibaraki)

資料名:
Journal of Non-Crystalline Solids  (Journal of Non-Crystalline Solids)

巻: 59/60  号:ページ: 393-396  発行年: 1983年12月 
JST資料番号: D0642A  ISSN: 0022-3093  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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