文献
J-GLOBAL ID:200902001897167466
整理番号:84A0302341
a-Si:Hの光励起された過渡的な局在状態
Photo-induced transient localized states in a-Si:H.
著者 (5件):
OKUSHI H
(Electrotechnical Lab., Ibaraki)
,
ASANO A
(Electrotechnical Lab., Ibaraki)
,
MIYAKAWA M
(Electrotechnical Lab., Ibaraki)
,
YAMASAKI S
(Electrotechnical Lab., Ibaraki)
,
TANAKA K
(Electrotechnical Lab., Ibaraki)
資料名:
Journal of Non-Crystalline Solids
(Journal of Non-Crystalline Solids)
巻:
59/60
号:
1
ページ:
393-396
発行年:
1983年12月
JST資料番号:
D0642A
ISSN:
0022-3093
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)