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文献
J-GLOBAL ID:200902001900654098   整理番号:90A0805064

GaAs/Al0.37Ga0.63As量子井戸における界面の粗さに支配された励起子の移動度

Interface-roughness-controlled exciton mobilities in GaAs/Al0.37Ga0.63As quantum wells.
著者 (4件):
HILLMER H
(Univ. Stuttgart, Stuttgart, DEU)
FORCHEL A
(Univ. Stuttgart, Stuttgart, DEU)
SAUER R
(Univ. Ulm, Ulm, DEU)
TU C W
(AT&T Bell Lab., New Jersey)

資料名:
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)

巻: 42  号:ページ: 3220-3223  発行年: 1990年08月15日 
JST資料番号: D0746A  ISSN: 1098-0121  CODEN: PRBMDO  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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