文献
J-GLOBAL ID:200902001900654098
整理番号:90A0805064
GaAs/Al0.37Ga0.63As量子井戸における界面の粗さに支配された励起子の移動度
Interface-roughness-controlled exciton mobilities in GaAs/Al0.37Ga0.63As quantum wells.
著者 (4件):
HILLMER H
(Univ. Stuttgart, Stuttgart, DEU)
,
FORCHEL A
(Univ. Stuttgart, Stuttgart, DEU)
,
SAUER R
(Univ. Ulm, Ulm, DEU)
,
TU C W
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
資料名:
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics
(Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻:
42
号:
5
ページ:
3220-3223
発行年:
1990年08月15日
JST資料番号:
D0746A
ISSN:
1098-0121
CODEN:
PRBMDO
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)