文献
J-GLOBAL ID:200902001910510655
整理番号:82A0108836
種子固化による横方向エピタキシャルを用いてSiO2上に大面積単結晶Siシートを成長させる技術の改良
Improved techniques for growth of large-area single-crystal Si sheets over SiO2 using lateral epitaxy by seeded solidification.
著者 (5件):
TSAUR B-Y
(Massachusetts Inst. Technology)
,
FAN J C C
(Massachusetts Inst. Technology)
,
GEIS M W
(Massachusetts Inst. Technology)
,
SILVERSMITH D J
(Massachusetts Inst. Technology)
,
MOUNTAIN R W
(Massachusetts Inst. Technology)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
39
号:
7
ページ:
561-563
発行年:
1981年10月01日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)