文献
J-GLOBAL ID:200902001917501538
整理番号:85A0392014
スパッタリング限界付近の銅とシリコンの反応性スパッタリング
Reactive sputtering of copper and silicon near the sputtering threshold.
著者 (3件):
MAYER T M
(IBM, New York)
,
HARPER J M E
(IBM, New York)
,
CUOMO J J
(IBM, New York)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films
(Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻:
3
号:
4
ページ:
1779-1783
発行年:
1985年07月
JST資料番号:
C0789B
ISSN:
0734-2101
CODEN:
JVTAD6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)