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著者 (8件)：
資料名：
巻： 26 号： 12 ページ： 807-809 発行年： 1990年06月07日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902001935169281
整理番号：90A0542717
InP上のGaPのヘテロエピタキシャル技術を用いる高性能のサブミクロン擬MODFETと2:1マルチプレクサ
High performance submicron pseudo-MODFETs and 2:1 multiplexers using GaAs on InP heteroepitaxial technology.
LO Y H
(Bellcore, N.J., USA)
,
BAGHERI M
(Bellcore, N.J., USA)
,
LIN P S D
(Bellcore, N.J., USA)
,
GRABBE P
(Bellcore, N.J., USA)
,
BHAT R
(Bellcore, N.J., USA)
,
STOFFEL N G
(Bellcore, N.J., USA)
,
LEE T P
(Bellcore, N.J., USA)
,
KONG D T
(Bellcore, N.J., USA)
資料名：
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻： 26 号： 12 ページ： 807-809 発行年： 1990年06月07日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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