文献
J-GLOBAL ID:200902001942112201
整理番号:91A0854573
ひ化ガリウムのルミネセンスにおよぼす高速中性子照射の影響
Influence of irradiation with fast neutrons on the luminescence of gallium arsenide.
著者 (4件):
VINNIK E V
(Inst. Semiconductors, Academy of Sciences of the Ukrainian SSR, Kiev)
,
GLINCHUK K D
(Inst. Semiconductors, Academy of Sciences of the Ukrainian SSR, Kiev)
,
GUROSHEV V I
(Inst. Semiconductors, Academy of Sciences of the Ukrainian SSR, Kiev)
,
PROKHOROVICH A V
(Inst. Semiconductors, Academy of Sciences of the Ukrainian SSR, Kiev)
資料名:
Soviet Physics. Semiconductors
(Soviet Physics. Semiconductors)
巻:
25
号:
1
ページ:
48-51
発行年:
1991年01月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
0038-5700
CODEN:
SPSEAX
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)