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著者 (6件)：
資料名：
巻： 19th ページ： 604-609 発行年： 1987年
JST資料番号： E0756A ISSN： 0160-8371 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902001947278809
整理番号：88A0133398
a-SiC:H/a-Si:Hヘテロ接合におけるi-層の低レベルドーピングの効果
Effects of low level doping of i-layer in a-SiC:H/a-Si:H heterojunction solar cells.
KONDO M
(Kanegafuchi Chemical Industries Co. Ltd., Kobe, JPN)
,
NISHIO H
(Kanegafuchi Chemical Industries Co. Ltd., Kobe, JPN)
,
YAMAGISHI H
(Kanegafuchi Chemical Industries Co. Ltd., Kobe, JPN)
,
YAMAGUCHI M
(Kanegafuchi Chemical Industries Co. Ltd., Kobe, JPN)
,
TSUGE K
(Kanegafuchi Chemical Industries Co. Ltd., Kobe, JPN)
,
TAWADA Y
(Kanegafuchi Chemical Industries Co. Ltd., Kobe, JPN)
資料名：
Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference
(Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference)
巻： 19th ページ： 604-609 発行年： 1987年
JST資料番号： E0756A ISSN： 0160-8371 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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