文献
J-GLOBAL ID:200902001965484483
整理番号:87A0069682
イオン注入し焼なましたけい素の活性キャリア密度分布と散乱確率の赤外減衰全反射を用いた測定
Activated carrier density profile and scattering rate measurements of implanted and annealed silicon using infrared attenuated total reflection.
著者 (3件):
YOUNG J F
(National Research Council, Ontario, CAN)
,
JENSEN H R
(National Research Council, Ontario, CAN)
,
SIMARD-NORMANDIN M
(Northern Telecom Electronics Ltd., Ontario, CAN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
49
号:
16
ページ:
1031-1033
発行年:
1986年10月20日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)