文献
J-GLOBAL ID:200902001989945023
整理番号:90A0684069
Siにおける電子の輸送と衝突イオン化
Electron transport and impact ionization in Si.
著者 (4件):
SANO N
(Nippon Telegraph and Telephone Corp., Kanagawa-ken, JPN)
,
AOKI T
(Nippon Telegraph and Telephone Corp., Kanagawa-ken, JPN)
,
TOMIZAWA M
(Nippon Telegraph and Telephone Corp., Kanagawa-ken, JPN)
,
YOSHII A
(Nippon Telegraph and Telephone Corp., Kanagawa-ken, JPN)
資料名:
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics
(Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻:
41
号:
17
ページ:
12122-12128
発行年:
1990年06月15日
JST資料番号:
D0746A
ISSN:
1098-0121
CODEN:
PRBMDO
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)