文献
J-GLOBAL ID:200902002006350555
整理番号:92A0231049
Semiconductor device development with homoepitaxial diamond films.
著者 (5件):
GROT S A
(Pennsylvania State Univ., PA)
,
GILDENBLAT G SH
(Pennsylvania State Univ., PA)
,
HATFIELD C W
(Pennsylvania State Univ., PA)
,
BADZIAN A R
(Pennsylvania State Univ., PA)
,
BADZIAN T
(Pennsylvania State Univ., PA)
資料名:
NATO ASI Series. B. Physics
(NATO ASI Series. B. Physics)
巻:
266
ページ:
767-772
発行年:
1991年
JST資料番号:
C0189B
資料種別:
会議録 (C)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)