文献
J-GLOBAL ID:200902002011245620
整理番号:87A0322138
Sn及びTeドープしたビスマスにおける20K電子照射後の空孔回復
Vacancy recovery after 20K electron irradiation in Sn and Te doped bismuth.
著者 (4件):
CORBEL C
(CEN-Grenoble, Grenoble, FRA)
,
BOIS P
(CEN-FAR, Fontenay aux Roses, FRA)
,
MOSER P
(CEN-Grenoble, Grenoble, FRA)
,
LEMAHIEU P
(State Univ., Gent, BEL)
資料名:
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻:
15/18
号:
Pt 2
ページ:
721-726
発行年:
1987年
JST資料番号:
D0716B
ISSN:
0255-5476
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)