文献
J-GLOBAL ID:200902002011645440
整理番号:93A0195790
Si1-xGexの高エネルギーイオン注入時における損傷飽和
Damage saturation during high-energy ion implantation of Si1-xGex.
著者 (2件):
HOLLAND O W
(Oak Ridge National Lab., Tennessee)
,
HAYNES T E
(Oak Ridge National Lab., Tennessee)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
61
号:
26
ページ:
3148-3150
発行年:
1992年12月28日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)