文献
J-GLOBAL ID:200902002016939034
整理番号:90A0254267
WF6とH2を用いたWの低圧CVDにおけるSi2F6添加による堆積速度の促進
Enhancement of deposition rate by adding Si2F6 in low-pressure chemical vapor deposition of W using WF6 and H2.
著者 (3件):
NISHIKAWA S
(OKI Electric Industry Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
MATSUHASHI H
(OKI Electric Industry Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
OHNO S
(OKI Electric Industry Co., Ltd., Tokyo, JPN)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
67
号:
2
ページ:
774-777
発行年:
1990年01月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)