文献
J-GLOBAL ID:200902002029466488
整理番号:92A0650398
分子線エピタキシー中にGa安定化したGaAs(100)表面を形成するための諸条件
Conditions for the formation of a gallium-stabilized GaAs(100) surface during molecular beam epitaxy.
著者 (5件):
KARPOV S YU
(A.F.Ioffe Physicotechnical Inst., Academy of Sciences of the USSR, St.Petersburg)
,
KOVAL’CHUK YU V
(A.F.Ioffe Physicotechnical Inst., Academy of Sciences of the USSR, St.Petersburg)
,
DE LA CRUZ G
(A.F.Ioffe Physicotechnical Inst., Academy of Sciences of the USSR, St.Petersburg)
,
MYACHIN V E
(A.F.Ioffe Physicotechnical Inst., Academy of Sciences of the USSR, St.Petersburg)
,
POGOREL’SKII YU V
(A.F.Ioffe Physicotechnical Inst., Academy of Sciences of the USSR, St.Petersburg)
資料名:
Soviet Technical Physics Letters
(Soviet Technical Physics Letters)
巻:
17
号:
12
ページ:
894-895
発行年:
1991年12月
JST資料番号:
H0665A
ISSN:
0360-120X
CODEN:
STPLD2
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)