文献
J-GLOBAL ID:200902002037450485
整理番号:81A0164122
電界効果法によるアモルファスSi合金中の局在化状態密度
Localized state distribution in amorphous-silicon-based alloys using the field effect technique.
著者 (1件):
MADAN A
(Energy Conversion Devices Inc., Mich.)
資料名:
Solar Cells
(Solar Cells)
巻:
2
号:
3
ページ:
277-288
発行年:
1980年11月
JST資料番号:
A0747B
ISSN:
0379-6787
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)