文献
J-GLOBAL ID:200902002037980085
整理番号:85A0514929
Czochralskiシリコン中のO析出に対する成長時の熱履歴の影響
The effects of thermal history during growth on O precipitation in Czochralski silicon.
著者 (6件):
FRAUNDORF G
(Monsanto Electronic Materials Co., Missouri)
,
FRAUNDORF P
(Monsanto Electronic Materials Co., Missouri)
,
CRAVEN R A
(Monsanto Electronic Materials Co., Missouri)
,
FREDERICK R A
(Monsanto Electronic Materials Co., Missouri)
,
MOODY J W
(Monsanto Electronic Materials Co., Missouri)
,
SHAW R W
(Monsanto Electronic Materials Co., Missouri)
資料名:
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻:
132
号:
7
ページ:
1701-1704
発行年:
1985年07月
JST資料番号:
C0285A
ISSN:
1945-7111
CODEN:
JESOAN
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)