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文献
J-GLOBAL ID:200902002057236331   整理番号:93A0106303

窒素ガス中のウエハ帯電の中性化

Neutralization of Wafer Charging in Nitrogen Gas.
著者 (6件):
INABA H
(Takasago Thermal Engineering Co., Ltd., Kanagawa, JPN)
OHMI T
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
MORITA M
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
NAKAMURA M
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
YOSHIDA T
(Takasago Thermal Engineering Co., Ltd., Kanagawa, JPN)
OKADA T
(Takasago Thermal Engineering Co., Ltd., Kanagawa, JPN)

資料名:
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing  (IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing)

巻:号:ページ: 359-367  発行年: 1992年11月 
JST資料番号: T0521A  ISSN: 0894-6507  CODEN: ITSMED  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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