文献
J-GLOBAL ID:200902002079202970
整理番号:82A0342632
アモルファス半導体におけるバンドギャップゆらぎ
Band-gap fluctuations in amorphous semiconductors.
著者 (1件):
DUNSTAN D J
(Centre d’Etudes Nucleaires de Grenoble, France)
資料名:
Solid State Communications
(Solid State Communications)
巻:
43
号:
5
ページ:
341-344
発行年:
1982年08月
JST資料番号:
H0499A
ISSN:
0038-1098
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)