文献
J-GLOBAL ID:200902002087155549
整理番号:88A0507209
III-V三成分系化合物半導体の液相エピタクシー法のシミュレーション
Simulation of III-V ternary compound semiconductor material growth by liquid phase epitaxial technique.
著者 (4件):
CHENG C-H
(National Tsing Hua Univ., Hsin-Chu, TWN)
,
HSUEH K-L
(National Tsing Hua Univ., Hsin-Chu, TWN)
,
YANG C-W
(National Tsing Hua Univ., Hsin-Chu, TWN)
,
LIEN C
(National Tsing Hua Univ., Hsin-Chu, TWN)
資料名:
Chemtronics
(Chemtronics)
巻:
3
号:
2
ページ:
94-98
発行年:
1988年06月
JST資料番号:
T0218A
ISSN:
0267-5900
CODEN:
CHMTEO
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)