文献
J-GLOBAL ID:200902002090793807
整理番号:91A0216853
p-n-p型AlGaAs/GaAs HBTの正孔拡散係数とコレクタ走行時間の実験値
Experimental Values for the hole diffusion coefficient and collector transit velocity in P-n-p AlGaAs/GaAs HBT’s.
著者 (7件):
SLATER D B JR
(Research Triangle Inst., NC)
,
ENQUIST P M
(Research Triangle Inst., NC)
,
NAJJAR F E
(Research Triangle Inst., NC)
,
CHEN M Y
(Research Triangle Inst., NC)
,
HUTCHBY J A
(Research Triangle Inst., NC)
,
MORRIS A S
(North Carolina State Univ., NC)
,
TREW R J
(North Carolina State Univ., NC)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
12
号:
2
ページ:
54-56
発行年:
1991年02月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)