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文献
J-GLOBAL ID:200902002090793807   整理番号:91A0216853

p-n-p型AlGaAs/GaAs HBTの正孔拡散係数とコレクタ走行時間の実験値

Experimental Values for the hole diffusion coefficient and collector transit velocity in P-n-p AlGaAs/GaAs HBT’s.
著者 (7件):
SLATER D B JR
(Research Triangle Inst., NC)
ENQUIST P M
(Research Triangle Inst., NC)
NAJJAR F E
(Research Triangle Inst., NC)
CHEN M Y
(Research Triangle Inst., NC)
HUTCHBY J A
(Research Triangle Inst., NC)
MORRIS A S
(North Carolina State Univ., NC)
TREW R J
(North Carolina State Univ., NC)

資料名:
IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)

巻: 12  号:ページ: 54-56  発行年: 1991年02月 
JST資料番号: B0344B  ISSN: 0741-3106  CODEN: EDLEDZ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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