文献
J-GLOBAL ID:200902015492540730
整理番号:91A0658271
GaAs(100)微斜面上のAlにおける界面化学,障壁高さ,ステップ密度間の相関性
Correlation of interface chemistry, barrier height, and step density for Al on vicinal GaAs(100) surfaces.
著者 (7件):
CHANG S
(Xerox Webster Research Center, New York)
,
VITOMIROV I M
(Xerox Webster Research Center, New York)
,
BRILLSON L J
(Xerox Webster Research Center, New York)
,
RIOUX D F
(Univ. Wisconsin, Wisconsin)
,
KIRCHNER P D
(IBM T.J. Watson Research Center, New York)
,
PETTIT G D
(IBM T.J. Watson Research Center, New York)
,
WOODALL J M
(IBM T.J. Watson Research Center, New York)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films
(Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻:
9
号:
3 Pt 1
ページ:
902-906
発行年:
1991年05月
JST資料番号:
C0789B
ISSN:
0734-2101
CODEN:
JVTAD6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)