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文献
J-GLOBAL ID:200902015492540730   整理番号:91A0658271

GaAs(100)微斜面上のAlにおける界面化学,障壁高さ,ステップ密度間の相関性

Correlation of interface chemistry, barrier height, and step density for Al on vicinal GaAs(100) surfaces.
著者 (7件):
CHANG S
(Xerox Webster Research Center, New York)
VITOMIROV I M
(Xerox Webster Research Center, New York)
BRILLSON L J
(Xerox Webster Research Center, New York)
RIOUX D F
(Univ. Wisconsin, Wisconsin)
KIRCHNER P D
(IBM T.J. Watson Research Center, New York)
PETTIT G D
(IBM T.J. Watson Research Center, New York)
WOODALL J M
(IBM T.J. Watson Research Center, New York)

資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)

巻:号: 3 Pt 1  ページ: 902-906  発行年: 1991年05月 
JST資料番号: C0789B  ISSN: 0734-2101  CODEN: JVTAD6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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