文献
J-GLOBAL ID:200902015506262142
整理番号:82A0477993
二酸化けい素/けい素界面における放射線誘起常磁性欠陥に対するバイアスの影響
Effect of bias on radiation-induced paramagnetic defects at the silicon-silicon dioxide interface.
著者 (2件):
LENAHAN P M
(Sandia National Lab., New Mexico)
,
DRESSENDORFER P V
(Sandia National Lab., New Mexico)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
41
号:
6
ページ:
542-544
発行年:
1982年09月15日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)