文献
J-GLOBAL ID:200902015534157303
整理番号:92A0349712
ロードロック集積プロセス法によるInGaAs/InPへのTiNxオーム性接触の形成
Formation of TiNx ohmic contacts to InGaAs/InP by means of a load-locked integrated process.
著者 (3件):
KATZ A
(AT&T Bell Lab., NJ, USA)
,
FEINGOLD A
(AT&T Bell Lab., NJ, USA)
,
PEARTON S J
(AT&T Bell Lab., NJ, USA)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
7
号:
3
ページ:
436-439
発行年:
1992年03月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)