文献
J-GLOBAL ID:200902015546162337
整理番号:87A0434621
界面での成長断続法による(Al,Ga)As/GaAsヘテロ構造の分子ビームエピタキシャル成長
Molecular-beam epitaxial growth of (Al, Ga) As/GaAs heterostructures with interruption at interfaces.
著者 (8件):
TU C W
(AT&T Bell Lab., NJ, USA)
,
MILLER R C
(AT&T Bell Lab., NJ, USA)
,
WILSON B A
(AT&T Bell Lab., NJ, USA)
,
PETROFF P M
(AT&T Bell Lab., NJ, USA)
,
HARRIS T D
(AT&T Bell Lab., NJ, USA)
,
KOPF R F
(AT&T Bell Lab., NJ, USA)
,
SPUTZ S K
(AT&T Bell Lab., NJ, USA)
,
LAMONT M G
(AT&T Bell Lab., NJ, USA)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻:
5
号:
3
ページ:
716-717
発行年:
1987年05月
JST資料番号:
E0974A
ISSN:
1071-1023
CODEN:
JVTBD9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)