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著者 (6件)：
資料名：
巻： 32 号： 10 ページ： 1158-1160 発行年： 1987年10月
JST資料番号： E0952A ISSN： 0038-5662 CODEN： SPTPA3 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902015550921480
整理番号：88A0567713
高パワー半導体のベース領域に局所的な高再結合領域を発生させて静特性と周波数特性を最適化する方法
Optimization of the static and frequency characteristics of high-power semiconductor devices by creation of local zones of high recombination in the base regions.
VOLLE V M
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Academy of Sciences of the USSR, Leningrad, SUN)
,
VORONKOV V B
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Academy of Sciences of the USSR, Leningrad, SUN)
,
GREKHOV I V
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Academy of Sciences of the USSR, Leningrad, SUN)
,
GUSINSKII G M
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Academy of Sciences of the USSR, Leningrad, SUN)
,
KOZLOV V A
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Academy of Sciences of the USSR, Leningrad, SUN)
,
NAIDENOV V O
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Academy of Sciences of the USSR, Leningrad, SUN)
資料名：
Soviet Physics-Technical Physics
(Soviet Physics-Technical Physics)
巻： 32 号： 10 ページ： 1158-1160 発行年： 1987年10月
JST資料番号： E0952A ISSN： 0038-5662 CODEN： SPTPA3 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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