文献
J-GLOBAL ID:200902015568625640
整理番号:91A0682343
a-Si:Hp-i-n素子中での長時間過渡伝導
Long-time transient conduction in a-Si:H p-i-n devices.
著者 (1件):
STREET R A
(Xerox Palo Alto Research Center, California, USA)
資料名:
Philosophical Magazine. B. Physics of Condensed Matter: Statistical Mechanics, Electronic, Optical and Magnetic Properties
(Philosophical Magazine. B. Physics of Condensed Matter: Statistical Mechanics, Electronic, Optical and Magnetic Properties)
巻:
63
号:
6
ページ:
1343-1363
発行年:
1991年06月
JST資料番号:
H0004B
ISSN:
1364-2812
CODEN:
PMABDJ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)