文献
J-GLOBAL ID:200902015589358057
整理番号:85A0129162
Si面上の高融点金属けい化物膜の微細組織の研究
Microstructural investigations of refractory metal silicide films on silicon.
著者 (7件):
MAGEE T J
(Advanced Research and Applications Corp., California)
,
WOOLHOUSE G R
(Advanced Research and Applications Corp., California)
,
KAWAYOSHI H A
(Advanced Research and Applications Corp., California)
,
NIEMEYER I C
(Advanced Research and Applications Corp., California)
,
RODRIGUES B
(Advanced Research and Applications Corp., California)
,
ORMOND R D
(Advanced Research and Applications Corp., California)
,
BHANDIA A S
(National Semiconductor Corp., California)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻:
2
号:
4
ページ:
756-761
発行年:
1984年10月
JST資料番号:
E0974A
ISSN:
1071-1023
CODEN:
JVTBD9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)