文献
J-GLOBAL ID:200902015590816921
整理番号:92A0387420
集積npn/pnpヘテロ接合バイポーラトランジスタ用の選択分子線エピタクシー
Selective molecular-beam epitaxy for integrated npn/pnp heterojunction bipolar transistor applications.
著者 (5件):
STREIT D C
(TRW Electronics and Technology Division, California)
,
UMEMOTO D K
(TRW Electronics and Technology Division, California)
,
VELEBIR J R
(TRW Electronics and Technology Division, California)
,
KOBAYASHI K
(TRW Electronics and Technology Division, California)
,
OKI A K
(TRW Electronics and Technology Division, California)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻:
10
号:
2
ページ:
1020-1022
発行年:
1992年03月
JST資料番号:
E0974A
ISSN:
1071-1023
CODEN:
JVTBD9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)