文献
J-GLOBAL ID:200902015631945758
整理番号:88A0225281
高品質のGaAs-AlGaAs量子井戸構造
Growth of high quality GaAs-AlGaAs quantum well structures.
著者 (5件):
KONG M Y
(Inst. Semiconductors, Academia Sinica, Beijing, CHN)
,
SUN D Z
(Inst. Semiconductors, Academia Sinica, Beijing, CHN)
,
LIANG J B
(Inst. Semiconductors, Academia Sinica, Beijing, CHN)
,
HUANG Y N
(Inst. Semiconductors, Academia Sinica, Beijing, CHN)
,
ZHEN Y P
(Inst. Semiconductors, Academia Sinica, Beijing, CHN)
資料名:
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻:
16
号:
6
ページ:
417-421
発行年:
1987年11月
JST資料番号:
D0277B
ISSN:
0361-5235
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)