文献
J-GLOBAL ID:200902015638554746
整理番号:88A0496583
多結晶Si中に急速に拡散する不純物の再分布に対する熱処理の効果
The effect of heat treatment on redistribution of fast diffusing impurities in polycrystalline silicon.
著者 (4件):
KUMAR R
(National Physical Lab., New Delhi, IND)
,
KOTNALA R K
(National Physical Lab., New Delhi, IND)
,
ARORA N K
(National Physical Lab., New Delhi, IND)
,
DAS B K
(National Physical Lab., New Delhi, IND)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
64
号:
2
ページ:
942-944
発行年:
1988年07月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)