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文献
J-GLOBAL ID:200902015674126424   整理番号:92A0432254

a-Si:HのTOFの正孔飛行時間の電場依存性

Electric Field Dependence of Hole Transit Time in TOF Experiments in a-Si:H.
著者 (5件):
村山和郎
(日本大 文理)
GANGULY G
(日本大 文理)
長尾勝昭
(日本大 文理)
大枝秀俊
(電総研)
松田彰久
(電総研)

資料名:
応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)

巻: 39th  号: Pt 2  ページ: 757  発行年: 1992年03月 
JST資料番号: Y0054A  資料種別: 会議録 (C)
発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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