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著者 (5件)：
資料名：
巻： 39 号： 11 ページ： 2562-2568 発行年： 1992年11月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902015674783662
整理番号：93A0009230
結合ドリフト・拡散/モンテカルロ方法を用いたSi MOSFETのホットエレクトロン・ゲート電流のモデル化
Modeling Hot-Electron Gate Current in Si MOSFET’s Using a Coupled Drift-Diffusion and Monte Carlo Method.
HUANG C
(National Chiao-Tung Univ., Hsin-Chu, TWN)
,
WANG T
(National Chiao-Tung Univ., Hsin-Chu, TWN)
,
CHEN C N
(Industrial Technology Research Inst., Hsin-Chu, TWN)
,
CHANG M C
(Industrial Technology Research Inst., Hsin-Chu, TWN)
,
FU J
(Industrial Technology Research Inst., Hsin-Chu, TWN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 39 号： 11 ページ： 2562-2568 発行年： 1992年11月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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