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著者 (3件)：
資料名：
巻： 6 号： 2 ページ： 107-114 発行年： 1987年06月
JST資料番号： H0945A ISSN： 0332-1649 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902015676894453
整理番号：87A0501071
MOSトランジスタの2次元素子シミュレーションからの端子電荷抽出
The extraction of terminal charges from two-dimensional device simulations of MOS transistors.
PRENDERGAST E J
(AT&T Bell Lab., PA, USA)
,
LLOYD P
(AT&T Bell Lab., PA, USA)
,
DIRKS H
(Univ. Aachen, Aachen, DEU)
資料名：
Compel
(Compel)
巻： 6 号： 2 ページ： 107-114 発行年： 1987年06月
JST資料番号： H0945A ISSN： 0332-1649 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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