文献
J-GLOBAL ID:200902015684804692
整理番号:87A0512505
3MeVのSi+をイオン注入したシリコンの損傷の熱処理効果
Damage annealing behavior of 3MeV Si+-implanted silicon.
著者 (3件):
RAI A K
(Universal Energy Systems, Inc., OH, USA)
,
BAKER J
(Universal Energy Systems, Inc., OH, USA)
,
INGRAM D C
(Universal Energy Systems, Inc., OH, USA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
51
号:
3
ページ:
172-174
発行年:
1987年07月20日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)