文献
J-GLOBAL ID:200902015692599674
整理番号:92A0530381
High-lifetime strained Si1-xGex films grown by rapid thermal chemical vapor deposition.
著者 (5件):
STURM J C
(Princeton Univ., NJ, USA)
,
SCHWARTZ P V
(Princeton Univ., NJ, USA)
,
MANOHARAN H
(Princeton Univ., NJ, USA)
,
XIAO X
(Princeton Univ., NJ, USA)
,
MI Q
(Princeton Univ., NJ, USA)
資料名:
Sensors and Actuators. A. Physical
(Sensors and Actuators. A. Physical)
巻:
33
号:
1/2
ページ:
29-32
発行年:
1992年05月
JST資料番号:
B0345C
ISSN:
0924-4247
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)