文献
J-GLOBAL ID:200902015698602936
整理番号:90A0130422
大きな粒径の多結晶シリコン上に作ったp-n接合ダイオードにおけるブレークダウン
Breakdown in p-n junction diodes made on polycrystalline silicon of large grain size.
著者 (3件):
NATARAJAN K
(Bharat Electronics Ltd., Bangalore, IND)
,
RAMKUMAR K
(Indian Inst. Science, Bangalore, IND)
,
SATYAM M
(Indian Inst. Science, Bangalore, IND)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
66
号:
5
ページ:
2206-2208
発行年:
1989年09月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)