文献
J-GLOBAL ID:200902015725739760
整理番号:91A0727182
重イオンRutherford後方散乱によるGaAsの表面近傍の化学量論に対する急速熱アニーリングの影響
Rapid thermal annealing effect on near-surface stoichiometry of GaAs by heavy-ion Rutherford backscattering.
著者 (4件):
GAGNON G
(Univ. Montreal, Quebec, CAN)
,
HOUDAYER A
(Univ. Montreal, Quebec, CAN)
,
CURRIE J F
(Ecole Polytechnique de Montreal, Quebec, CAN)
,
AZELMAD A
(Mitel S.C.C., Quebec, CAN)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
70
号:
2
ページ:
1036-1038
発行年:
1991年07月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)