文献
J-GLOBAL ID:200902015727402089
整理番号:86A0206410
SiをドープしたGaAs/Al0.22Ga0.78As単一量子井戸中の束縛励起子
Bound excitons in Si-doped GaAs/Al0.22Ga0.78As single quantum wells.
著者 (3件):
NOMURA Y
(Optoelectronics Joint Research Lab., Kawasaki)
,
SHINOZAKI K
(Optoelectronics Joint Research Lab., Kawasaki)
,
ISHII M
(Optoelectronics Joint Research Lab., Kawasaki)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
58
号:
5
ページ:
1864-1866
発行年:
1985年09月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)