文献
J-GLOBAL ID:200902018959438569
整理番号:90A0144262
高出力絶縁ゲートのバイポーラトランジスタ
High power insulated gate bipolar transistors (IGBTs).
著者 (3件):
OHASHI H
(Toshiba R&D Center, Kawasaki)
,
NAKAGAWA A
(Toshiba R&D Center, Kawasaki)
,
HIDESHIMA M
(Toshiba Microelectronics Center, Kawasaki)
資料名:
Extended Abstracts of the 20th (1988 International) Conference on Solid State Devices and Materials
(Extended Abstracts of the 20th (1988 International) Conference on Solid State Devices and Materials)
ページ:
25-28
発行年:
1988年
JST資料番号:
K19890621
ISBN:
4-930813-27-1
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)