文献
J-GLOBAL ID:200902023264583200
整理番号:87A0278730
高密度EPROMに適した新形溝分離式埋め込みN+FAMOSトランジスタ
A novel trench-isolated buried N+ FAMOS transistor suitable for high-density EPROM’s.
著者 (9件):
ESQUIVEL A L
(Texas Instruments Inc., TX, USA)
,
MITCHELL A T
(Texas Instruments Inc., TX, USA)
,
PATERSON J L
(Texas Instruments Inc., TX, USA)
,
DOUGLAS M
(Texas Instruments Inc., TX, USA)
,
TIGELAAR H L
(Texas Instruments Inc., TX, USA)
,
RIEMENSCHNEIDER B R
(Texas Instruments Inc., TX, USA)
,
COFFMAN T M
(Texas Instruments Inc., TX, USA)
,
GILL M
(Texas Instruments Inc., TX, USA)
,
LAHIRY R
(Texas Instruments Inc., TX, USA)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
8
号:
4
ページ:
146-147
発行年:
1987年04月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)