文献
J-GLOBAL ID:200902051272644522
整理番号:81A0213122
イオン注入CMOS構造の設計と評価
Design and evaluation of ion-implanted CMOS structures.
著者 (3件):
MOTAMEDI M E
(Rensselaer Polytechnic Inst., NY)
,
TAM K-Y
(Rensselaer Polytechnic Inst., NY)
,
STECKL A J
(Rensselaer Polytechnic Inst., NY)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
27
号:
3
ページ:
578-583
発行年:
1980年03月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)