文献
J-GLOBAL ID:200902076609694163
整理番号:90A0065780
SiドープGaAs単結晶中の格子間原子集団のX線散漫散乱による識別
X-ray diffuse scattering identification of interstitial atom aggregates in Si-doped GaAs single crystals.
著者 (2件):
MOROZOV A N
(Moscow Steel and Alloys Inst., Moscow, SUN)
,
BUBLIK V T
(Moscow Steel and Alloys Inst., Moscow, SUN)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
97
号:
2
ページ:
475-482
発行年:
1989年09月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)