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著者 (3件)：
資料名：
巻： 102 号： 1 ページ： 65-69 発行年： 1983年04月08日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： ドイツ語 (DE)
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文献
J-GLOBAL ID：200902076672112387
整理番号：83A0449694
シリコン中のp-n接合の陽極酸化による保護
UEber die Passivierung von p-n-UEbergaengen in Silizium durch anodische Oxydation.
MENDE G
(Zentralinst. Kernforschung, D.D.R.)
,
BUTTER K-D
(Zentralinst. Kernforschung, D.D.R.)
,
SCHMIDT B
(Zentralinst. Kernforschung, D.D.R.)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 102 号： 1 ページ： 65-69 発行年： 1983年04月08日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： ドイツ語 (DE)
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