文献
J-GLOBAL ID:200902131005030969
整理番号:01A0774199
多孔質Si/C60接合の光電子特性
The photo-electronic properties of porous Si/C60 junction.
著者 (4件):
WEN C-J
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
WATANABE T
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
TAKAHASHI H
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
YAMADA K
(Shinshu Univ., Nagano, JPN)
資料名:
Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference
(Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference)
巻:
28th
ページ:
880-883
発行年:
2000年
JST資料番号:
E0756A
ISSN:
0160-8371
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)