文献
J-GLOBAL ID:200902131020977727
整理番号:03A0088505
高性能セル技術 多ギガビット密度を有するサブ-100nmDRAMのフィーチャリング
High Performance Cell Technology Featuring Sub-100nm DRAM with Multi-Gigabit Density.
著者 (8件):
LEE B-C
(Samsung Electronics Co. Ltd., Kyungki-Do, KOR)
,
YOO J-R
(Samsung Electronics Co. Ltd., Kyungki-Do, KOR)
,
LEE D-H
(Samsung Electronics Co. Ltd., Kyungki-Do, KOR)
,
KIM C-S
(Samsung Electronics Co. Ltd., Kyungki-Do, KOR)
,
JUNG I-S
(Samsung Electronics Co. Ltd., Kyungki-Do, KOR)
,
CHOI S
(Samsung Electronics Co. Ltd., Kyungki-Do, KOR)
,
CHUNG U-I
(Samsung Electronics Co. Ltd., Kyungki-Do, KOR)
,
MOON J-T
(Samsung Electronics Co. Ltd., Kyungki-Do, KOR)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
2002
ページ:
835-838
発行年:
2002年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)