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資料名：
巻： 79 号： 23 ページ： 3797-3799 発行年： 2001年12月03日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902131021944997
整理番号：02A0054147
外部圧縮応力による超薄ゲート酸化物を有する金属-酸化物-半導体構造における劣化
Degradation in metal-oxide-semiconductor structure with ultrathin gate oxide due to external compressive stress.
HONG C-C
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
HWU J-G
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 79 号： 23 ページ： 3797-3799 発行年： 2001年12月03日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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