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著者 (5件)：
資料名：
巻： 89 号： 1 ページ： 323-326 発行年： 2001年01月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902131024376396
整理番号：01A0295267
酸化インジウムすず/SiO2/Si金属-酸化物-半導体構造からの可視およびバンド端エレクトロルミネセンス
Visible and band edge electroluminescence from indium tin oxide/SiO2/Si metal-oxide-semiconductor structures.
CHEN M-J
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
LIN C-F
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
LIU W T
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
CHANG S T
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
LIU C W
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 89 号： 1 ページ： 323-326 発行年： 2001年01月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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